具备高精度光刻、低损耗厚膜生长、干法刻蚀、光学耦合检测等全流程工艺能力
群发硅光生产线以纯硅光工艺实现OPA芯片全流程制造，突破传统技术在材料与结构上的限制，具备高精度光刻、低损耗厚膜生长、干法刻蚀、光学耦合检测等全流程工艺能力。
作为国内实现硅光器件仿真设计、生产制造、封测验证及产品销售全链条贯通的企业，生产线配备硅光集成芯片工艺与器件PDK（工艺设计包)，具备180nm节点硅光工艺的开发和生产能力，可适配光通信、光传感等多类型产品的流片加工需求。
依托自主知识产权的硅光芯片工艺解决方案，生产线组建了专业研发与工艺团队，能够根据客户需求提供完整制程服务，为硅光产业技术转化与规模化应用提供坚实支撑。
工艺
核心设备
占地面积
核心工艺模块
光刻工艺
弯曲波导光刻刻蚀工艺
阵列波导光刻
可提供6英寸标准晶圆光刻图形化工艺，最小可实现200nm线宽结构的光刻，可针对不同材料类型（石英、硅、玻璃、金属薄膜衬底等）
设备：DUV光刻机、EBL、激光直写、纳米压印
刻蚀工艺
深硅刻蚀，陡直度90°±0.1°
金属刻蚀：铝光栅结构
可加工6英寸及以下各种晶圆及非标基底，可刻蚀材料：硅、氧化硅、氮化硅、磷化铟、氮化镓、铌酸锂、石英、硫化锌及各种硅基和金属氧化物等
设备：等离子刻蚀机、RIE、ICP、RIBE、FIB
镀膜工艺
多层厚膜氮化硅生长
剥离得到的Au薄膜
TEOS台阶覆盖
4um多层薄膜总应力-14MPA
CVD工艺包括氧化硅、氮化硅；PVD工艺包括金属及金属氧化物薄膜：金、银、铝、铬、钛、锡、氧化铝等
设备：PECVD、LPCVD、磁控溅射仪、电子束蒸发
具备低损耗厚膜氮化硅沉积能力，掌握多层叠加工艺技术
研磨抛光
抛光后Cu表面粗糙度Ra＜1nm
抛光厚度精度：±2nm
可对Ⅲ-Ⅴ族化合物（氮化镓、砷化镓等）、硅、碳化硅等外延衬底及器件进行高精度研磨与抛光，实现纳米级表面平整度与低粗糙度控制。
设备：化学机械抛光（CMP）设备、研磨机、减薄机、抛光机
掺杂工艺
RTP退火前后杂质浓度图
GaAs氧化粗糙度测试
可开展器件与薄膜的可靠性试验，包括高温高湿、热循环、电老化等测试，适用于氮化硅、氧化硅、金 / 铝 / 钛等金属薄膜及相关器件
设备：冷热冲击试验箱、热循环试验机、高加速寿命试验箱
耦合测试
端面光纤-芯片耦合
远场主瓣测试
可对波导、激光器、光电探测器等光电器件开展耦合性能测试，覆盖 6 英寸及以下晶圆与封装后器件，测试参数包含耦合效率、插入损耗、响应度等，支持多通道并行测试。
设备：自动光学耦合测试机、探针台、光谱分析仪
可靠性验证
样品
随机振动试验
可开展器件与薄膜的可靠性试验，包括高温高湿、热循环、电老化等测试，适用于氮化硅、氧化硅、金 / 铝 / 钛等金属薄膜及相关器件
设备：冷热冲击试验箱、热循环试验机、高加速寿命试验箱
服务流程
02
获取PDK
收到用户签署的NDA文件后，将发送PDK文件到用户注册邮箱。
微信公众号